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日本厂商受灾 东莞锂电池乘虚扩张版图



  日本地震对全球产业的影响正在逐步显现。在媒体相继报出日本电子芯片缺货的消息后,全球的锂电池材料市场或将步其后尘。

  据《第一财经日报》报道,短期内电子芯片市场供应没有问题,但日本厂家在锂电池原材料、高端液晶屏的驱动IC和flash闪存芯片等市场上的占有率很高,若不能如期恢复生产,对未来市场的供应将造成较大冲击。

  “地震后,日本锂电池材料生产受影响是肯定的”,东莞杉杉电池材料有限公司(以下简称“杉杉电池”)某位高层表示,现阶段日本锂电池产业的目标并不是市场,而是完善自身的产业链,在灾区工厂受影响后,日本锂电池产业或趁机收缩中国市场,转为加固自身产业链。

  “日本厂商供货减少就意味着东莞锂电池的机会”,在杉杉电池的这位高层看来,东莞虽为电动汽车产业队伍里的新军,但在电动汽车的关键领域,东莞的锂电池技术却走在了全国的前列。

  “其实我们和日本厂商比拼的不是市场,而是技术”,该人士表示,在十年以前,国内的锂电池材料几乎全部进口,但如今国内厂商已占据相当部分市场份额。

  据悉,目前,东莞的锂电池领域已积聚了杉杉电池、新能源科技、迈科科技等知名厂商,涵盖了从材料到锂电池终端的生产。

  新能源科技有关负责人表示,目前日本地震对企业生产基本没有影响,因为生产所需的锂电池材料基本是国产,他认为,如果日本锂电池材料商减少对国内供货,这反而为东莞锂电池厂商提供了绝佳的发展机会。

  超小型集成电路已经彻底变革了手机、家用电器、汽车以及其他日常技术,为了进一步让此类电子设备小型化,实现高端功能,必须以三维方式可靠地制造此类电路。蚀刻硅以实现超精细3D形状非常艰难,因为即使是在原子尺度上造成损伤也会降低设备的性能。据外媒报道,日本奈良先端科学技术大学院大学(Nara Institute of Science and Technology,NAIST)研究了一种新方法,在原子尺度上将硅蚀刻成光滑金字塔的形状。此前,在此类硅金字塔上涂覆薄薄的一层铁让其具有磁性只是理论上的想法,现在却可以成真了。硅金字塔(图片来源:奈良先端科学技术大学院大学)NAIST研究员兼该研究资深作者Ken Hattori一直都在原子控制

  蚀刻硅金字塔并涂上铁赋予磁性 可实现电子设备小型化 /

  台湾媒体爆料称,在日本经济产业省极力的邀请下,台积电计划将在日本东京设立先进封测厂。消息称,双方将会成立合资公司来进行营运,出资各半。这座封测厂将会是台积电在台湾以外的首座封测厂。对此消息,台积电并未回应,并且目前目前台积电也还在法说会前的缄默期。如果该消息属实的话,那么台积电很可能会在1月14日的法说会上公布。受新冠疫情下地区封锁导致部分国家和地区的半导体供应链断链,以及美国将半导体技术“武器化”来打压竞争对手的行为的影响,目前全球多个国家和地区开始越来越注重本国的半导体产业链的完整和供应链安全,避免过度依赖于进口。去年12月,欧盟委员会(European

  建立首座先进封测厂 /

  全球云和本地环境数据管理软件的公认领导者Commvault日前宣布任命Rachel Ler(吕慧青)女士担任亚太及日本地区副总裁兼总经理。 凭借在东盟(ASEAN)、香港、韩国以及台湾地区实施一致性、连续且可拓展的销售模式,Rachel Ler帮助Commvault实现了前所未有的业务增长和客户成功

  地区副总裁兼总经理 /

  近日,台积电董事长刘德音对《日本经济新闻》表示,台积电将于明年在亚利桑那州开始建设一座价值120亿美元的芯片工厂。一个由300多名现有员工和管理人员组成的工作组将派至该工厂新工厂将于2021年开建,投资金额高达120亿美元,美国政府承担相当一部分开支。不过,12月23日,《日本经济新闻》发表该报编委太田泰彦文章,透露对此日本政府相关负责人颇为不满地说:“如此大手笔地进行补贴几乎相当于违反世贸组织规定。”文章还指出,美国的半导体战略不太可能在拜登政府治下发生变化。美国国会可能会在明年早些时候开始审议支持半导体国产化的芯片法案。美国国会本月通过的《2021财年国防授权法》中也加入了不惜动用国防预算支持半导体技术研发的条款。中国的动作

  近日,台积电董事长刘德音对《日本经济新闻》表示,台积电将于明年在亚利桑那州开始建设一座价值120亿美元的芯片工厂。一个由300多名现有员工和管理人员组成的工作组将派至该工厂新工厂将于2021年开建,投资金额高达120亿美元,美国政府承担相当一部分开支。不过,12月23日,《日本经济新闻》发表该报编委太田泰彦文章,透露对此日本政府相关负责人颇为不满地说:“如此大手笔地进行补贴几乎相当于违反世贸组织规定。”文章还指出,美国的半导体战略不太可能在拜登政府治下发生变化。美国国会可能会在明年早些时候开始审议支持半导体国产化的芯片法案。台积电(@wcctach)美国国会本月通过的《2021财年国防授权法》中也加入了不惜动用国防预算支持

  官员:美补贴台积电本土设厂涉嫌违反WTO规定 /

  氮化镓(GaN)晶体是一种很有发展前景的材料,可用于研发下一代功率半导体设备。据外媒报道,日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同,新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底,以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。用于下一代功率半导体设备中,以用于车辆和其他用途。不过,传统的GaN单晶体生长技术会将气态原材料喷到基底上,导致了一个主要的缺点:会在晶体内部形成很多原子大小的缺陷(包括位错)。当有位错缺陷的GaN晶体被集成至功率设备中时,会有泄漏的电流穿过该设备

  研发制造高质量氮化镓晶体的新方法 可用于下一代功率半导体设备 /

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